2月22日，武创院芯片制造协同设计研究所（以下简称武创院芯研所）经过专家咨询论证，正式启动运营. 作为我省的首个芯片制造协同设计平台，该研究所的成立对于推动我国集成电路产业的高质量发展具有重要意义。

芯片的设计、制造和封装是一个复杂的过程，涉及到多个环节。设计的合理性、工艺的过关性以及性能的可靠性，直接影响着芯片能否实现规模化生产。在我国积极推进集成电路产业发展的大背景下，利用软件和仪器对芯片的设计制造全流程进行仿真计算和测试，已经成为提高芯片设计制造水平的必然选择.

武创院芯研所由武创院、武汉大学工业科学研究院刘胜教授团队以及湖南珞佳智能科技有限公司共同组建，并整合了武汉大学、华中科技大学、华进半导体以及智能汽车安全技术全国重点实验室等一流芯片制造和测试仪器平台的资源。据悉，武创院芯研所将重点关注国家半导体芯片制造-封装工业软件所面临的“卡脖子”问题，以攻克半导体芯片集成工艺及可靠性关键核心技术、提供小试中试服务以及促进产学研转化孵化为主要目标.

为了实现这些目标，武创院芯研所将建设四大平台，分别是先进芯片材料及工艺集成综合测试平台、芯片制造-封测材料数据库平台、多场多尺度耦合的芯片制造协同仿真平台以及基于工艺及可靠性的芯片制造-封装CAPR工业软件平台. 这些平台的建设将有助于提高芯片制造的效率和可靠性.

武创院作为一个高能级综合性新型研发机构，将为芯研所在芯片设计制造全流程中提供支持. 通过多物理场多尺度协同、材料-结构-制程-可靠性一体化协同以及上下游产业链协同，武创院将助力武汉打造先进芯片制造协同设计产业高地.

根据规划，制造运营管理系统未来的3到5年内，武创院芯研所的研发人员数量将达到100人，并每年培养数十名高端人才. 同时，该研究所还将努力打造和孵化数家技术中心和高科技企业。最终，武创院芯研所力争在10年内获得芯片制造协同设计国家工程研究中心的批准.

以上为参考文章，下面是改写后的文章：

武创院芯片制造协同设计研究所：引领芯片行业新发展

武创院芯片制造协同设计研究所（简称武创院芯研所）近日经过专家咨询论证，正式启动运营. 作为我省首个芯片制造协同设计平台，该研究所的成立对于推动我国集成电路产业高质量发展具有重要意义。

在现代科技的推动下，芯片作为电子产品的核心部件，扮演着举足轻重的角色. 芯片的设计、制造和封装过程需要经历多个环节，而设计的合理性、工艺的过关性以及性能的可靠性直接决定了芯片能否实现规模化生产。在我国积极推进集成电路产业发展的大背景下，提高芯片设计制造水平成为行业的重要课题.

武创院芯研所是由武创院、武汉大学工业科学研究院刘胜教授团队以及湖南珞佳智能科技有限公司共同组建的. 该研究所整合了武汉大学、华中科技大学、华进半导体以及智能汽车安全技术全国重点实验室等一流芯片制造和测试仪器平台的资源. 其主要目标是攻克国家半导体芯片制造-封装工业软件面临的难题，提供小试中试服务，并推动产学研转化孵化.

为了实现上述目标，武创院芯研所将建设四大平台，分别是先进芯片材料及工艺集成综合测试平台、芯片制造-封测材料数据库平台、多场多尺度耦合的芯片制造协同仿真平台以及基于工艺及可靠性的芯片制造-封装CAPR工业软件平台. 通过这些平台的建设，武创院芯研所将提高芯片制造的效率和可靠性.

武创院作为高能级综合性新型研发机构，将全力支持芯研所在芯片设计制造全流程中的工作. 通过多物理场多尺度协同、材料-结构-制程-可靠性一体化协同以及上下游产业链协同，武创院将为武汉打造先进芯片制造协同设计产业高地助力.

据规划，制造运营管理系统武创院芯研所未来3到5年内将拥有100名研发人员，并每年培养数十名高端人才. 同时，该研究所还将积极推动技术中心和高科技企业的孵化发展。最终，武创院芯研所力争在10年内获批芯片制造协同设计国家工程研究中心.

来源：湖北日报。